TransphormHighest Performance, Highest Reliability GaN

Transphorm 發佈利用氮化鎵實現3.3-kW 無橋式圖騰柱功率因數校正器的參考設計

針對伺服器、汽車和工業應用範圍提供有效並精簡的AC/ DC 電力系統開發

Transphorm Inc.今日發佈了第一份充分利用高壓(HV) 氮化鎵(GaN),實現連續導通模式(CCM) 3.3 千瓦(kW)無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)器的參考設計。技術藍圖用於開發AC/DC 應用:

  • 中高端電源系統(伺服器、遊戲機暨電競系統、礦機),以及數千瓦之高功率密度功率因素校正器
  • 車載充電電源模組,包含複合動力汽車(PHEV) 和純電動車(BEV) 系統
  • 工業系統電源應用

在此下載TDTTP3300-RD 參考設計

高效產品,有效縮短設計時程

Transphorm 致力於設計並製造具有最高品質、最佳可靠性的650V 氮化鎵功率器件,唯一獲得JEDEC 和AEC-Q101 認證的高壓氮化鎵功率晶體。此參考設計採用Transphorm 第3代650V GaN FET 技術(TP65H050WS – 50 mΩ導通電阻),並選擇業界一般採用、功能強健的TO-247封裝實現99% 的效率。

TDTTP3300-RD 包含開發產品所需的完整資源,無需繁複的GaN 應用設計及DSP 韌體編碼:

  • 測試報告
  • 硬體設計指南
  • 韌體設計指南及原始碼
  • 設計線路和Gerber 檔
  • 料件清單(BOM)

「如同客戶終端產品所示,完整證明Transphorm 的高品質及高信賴性器件能提供高壓GaN 的良好特性。進一步提高了功率密度、效率和性能,降低系統成本。」Transphorm 技術行銷副總裁Philip Zuk 表示。「現在,我們正利用以上所述的優勢,幫助設計者減輕設計上的工作量。憑藉著我們3.3-kW 的參考設計,我們正利用已發展數年的藍圖來增進產業競爭力。我們很愉快能看到將有哪些系統被創建在此GaN 基礎上。」

TDTTP3300-RD 功能 效用
TP65H050WS GaN FET

閘極穩健性:±20 VGS最大

高抗雜訊力:4.0 VTH

高整合度的DSP 設計 具有可預先設定,並完整功能的轉換器開發。
TMS320F28335 DSP 控制板 完善的開發工具
可程式化的運行模式 可被使用者定義的開關頻率、軟啟動、故障限制等
故障動作模式 VIN/VOUT 過電壓、OCP、OTP、閉鎖或可程式化的重啟模式等。
內部輔助電源 無須外部電源,並提供一組額外電源
電磁干擾抑制線路 透過電路板佈局和經過驗證的設計技術實現初步 EMI 標準。

歡迎體驗GaN 創新產品
Transphorm 設計、製造並銷售用於高壓電源轉換應用的最高效、最可靠的GaN 半導體。Transphorm 擁有全球最大的Power GaN IP (全球1000 多個已發佈和審核中專利),業界唯一獲得JEDEC 和AEC-Q101 認證的GaN FET。這來自於在每個階段進行創新的垂直整合業務方式:材料和裝置的設計、製造、線路整合、封裝、參考電路設計和應用支援。Transphorm:讓電力電子應用超越矽的極限。

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